MOSFET, N-Canal Vishay SiR626ADP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 165 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
204-7200
Referência do fabricante:
SiR626ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

165A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiR626ADP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.75mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

83nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.25mm

Longitud

5.26mm

Anchura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) está sintonizado para el FOM RDS - QOSS más bajo.

Potencia de encapsulado PAK SO-8

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

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