MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS6H824NLT1G, VDSS 80 V, ID 110 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5749
- Referência do fabricante:
- NVMFS6H824NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
36,95 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 1450 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 + | 1,478 € | 36,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 202-5749
- Referência do fabricante:
- NVMFS6H824NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NVM | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 116W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Altura | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NVM | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 116W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Altura 6.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 110 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.
Certificación AEC Q101
En conformidad con RoHS
Sin plomo
Opción de flanco sumergible
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 110 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 123 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 203 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 136 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 103 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 89 A, Mejora, DFN de 5 pines
