MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NTTFD9D0N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 38 A, WQFN, Mejora de 12 pines, 1, config. Doble N
- Código RS:
- 202-5721
- Referência do fabricante:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 202-5721
- Referência do fabricante:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NTTF | |
| Encapsulado | WQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 26W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.79V | |
| Configuración de transistor | Doble N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NTTF | ||
Encapsulado WQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 26W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.79V | ||
Configuración de transistor Doble N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N doble simétrico DE on Semiconductor incluye dos MOSFET de canal N especializados en un encapsulado doble. El nodo de conmutación se ha conectado internamente para permitir una colocación y enrutamiento sencillos de convertidores reductores síncronos. Se utiliza en aplicaciones de punto de carga de uso general, comunicaciones e informática.
Encapsulado de baja inductancia
Menores pérdidas de conmutación
En conformidad con RoHS
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