Módulos MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STWA65N60DM6, VDSS 600 V, ID 38 A, TO-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5550
- Referência do fabricante:
- STWA65N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5550
- Referência do fabricante:
- STWA65N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 38 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.06 Ω | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | ST | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 38 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Reducción | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.06 Ω | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie ST | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
100% avalanche tested
Zener-protected
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