MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines
- Código RS:
- 202-5481P
- Referência do fabricante:
- SCTH100N65G2-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal 10 unidades (fornecido em tira contínua)*
244,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 19 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 10 - 99 | 24,43 € |
| 100 - 999 | 24,13 € |
| 1000 + | 23,84 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 202-5481P
- Referência do fabricante:
- SCTH100N65G2-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 95A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.02Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 162nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión directa Vf | 2.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 95A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.02Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 162nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión directa Vf 2.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia