Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 16 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-4806P
Referência do fabricante:
SCT20N120AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.52Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

153W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión directa Vf

3.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

15.8mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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