MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 201-4467
- Referência do fabricante:
- STF16N90K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 201-4467
- Referência do fabricante:
- STF16N90K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 330mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Altura | 16mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 330mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.6mm | ||
Altura 16mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics N-Channel 900 V, 280 mo típ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET en un encapsulado TO-220FP se basa en una innovadora estructura vertical propia.
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