MOSFET, N-Canal onsemi NTMJS1D4N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 262 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- Código RS:
- 201-3407
- Referência do fabricante:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
5 418,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de setembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,806 € | 5 418,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 201-3407
- Referência do fabricante:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 262A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NTMJS1D4N06CL | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 103nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 180W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 5mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 262A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NTMJS1D4N06CL | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 103nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 180W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 5mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N 60V DE ON Semiconductor tiene alimentación industrial en un 5x6mm y se utiliza para un diseño compacto y eficiente, incluido un alto rendimiento térmico. Además, no contiene plomo y es compatible con RoHS.
Baja reducción de las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 262 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 27 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 38 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 52 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 71 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 8 pines