MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMJS1D4N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 262 A, Mejora, LFPAK de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

5 079,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 17 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +1,693 €5 079,00 €

*preço indicativo

Código RS:
201-3407
Referência do fabricante:
NTMJS1D4N06CLTWG
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

262A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NTMJS1D4N06CL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

103nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

180W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.3 mm

Altura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N 60V DE ON Semiconductor tiene alimentación industrial en un 5x6mm y se utiliza para un diseño compacto y eficiente, incluido un alto rendimiento térmico. Además, no contiene plomo y es compatible con RoHS.

Baja reducción de las pérdidas de conducción

QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

Links relacionados