MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 258 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- Código RS:
- 189-0262
- Referência do fabricante:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
3 699,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,233 € | 3 699,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 189-0262
- Referência do fabricante:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 258A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | NTMYS1D2N04CL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 134W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 109nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 258A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie NTMYS1D2N04CL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 134W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 109nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMYS1D2N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 258 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 71 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 252 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 235 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 138 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 38 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
