MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 65.8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

35,225 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 31 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 251,409 €35,23 €
50 - 1001,198 €29,95 €
125 - 2251,057 €26,43 €
250 - 6000,917 €22,93 €
625 +0,845 €21,13 €

*preço indicativo

Código RS:
200-6865
Referência do fabricante:
SiR106ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.15mm

Anchura

5.15 mm

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SiR106ADP-T1-RE3 es un MOSFET de canal N 100V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja

Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja

100 % Rg y prueba UIS

Links relacionados