MOSFET, N-Canal Vishay SIDR680ADP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
204-7257
Referência do fabricante:
SIDR680ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

137A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiDR680ADP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.88mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.9mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.51mm

Longitud

5.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene una figura de mérito (FOM) RDS - QG muy baja y está sintonizado para el FOM RDS - QOSS más bajo.

100 % RG y prueba UIS

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