MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVBG020N120SC1, VDSS 1200 V, ID 98 A, TO-263, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 195-8970
- Referência do fabricante:
- NVBG020N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-8970
- Referência do fabricante:
- NVBG020N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 98A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 98A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 20 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK−7L
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de On Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip garantizan una baja capacidad y carga de puerta. Incluye la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.
Carga de puerta ultrabaja (típ. QG(tot) = 220 nC)
Capacitancia de salida efectiva baja
100 % a prueba de avalancha
Calificación conforme a AEC-Q101
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