MOSFET de potencia onsemi, N-Canal NVMFD6H840NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 195-2671
- Referência do fabricante:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
27,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 1170 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 135 | 1,836 € | 27,54 € |
| 150 - 360 | 1,583 € | 23,75 € |
| 375 + | 1,372 € | 20,58 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 195-2671
- Referência do fabricante:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Anchura 5.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
NVMFS5C410NLWF − Opción de flanco sumergible
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicación
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Links relacionados
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 127 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 68 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 70 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 27 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble