MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
195-2668
Referência do fabricante:
NVMFD6H840NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

74A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.05mm

Longitud

6.1mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Diseño compacto

Baja RDS(on)

Minimiza las pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

NVMFS5C410NLWF − Opción de flanco sumergible

Inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Aplicación

Protección de batería inversa

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

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