MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 195-2556
- Referência do fabricante:
- NVMFD6H852NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-2556
- Referência do fabricante:
- NVMFD6H852NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 175°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
NVMFD6H852NLWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Estos dispositivos no contienen plomo
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