MOSFET, N-Canal onsemi NVMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- Código RS:
- 195-2541
- Referência do fabricante:
- NVMYS8D0N04CTWG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 195-2541
- Referência do fabricante:
- NVMYS8D0N04CTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVMYS8D0N04C | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4.25mm | |
| Altura | 1.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVMYS8D0N04C | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4.25mm | ||
Altura 1.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector
Capacidad PPAP
Estos dispositivos no contienen plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 27 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 38 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 52 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 71 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 8 pines