MOSFET, N-Canal onsemi NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
195-2527
Referência do fabricante:
NTMYS8D0N04CTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

49A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NTMYS8D0N04C

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.25mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.15mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

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