MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 133 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- Código RS:
- 195-2512
- Referência do fabricante:
- NVMYS3D3N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-2512
- Referência do fabricante:
- NVMYS3D3N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 133A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | NVMYS3D3N06CL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 133A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie NVMYS3D3N06CL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector
Capacidad PPAP
Estos dispositivos no contienen plomo
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