MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed C3M0120090J, VDSS 900 V, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 192-3378
- Referência do fabricante:
- C3M0120090J
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- Código RS:
- 192-3378
- Referência do fabricante:
- C3M0120090J
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Serie | C3M | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión directa Vf | 4.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.23mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 9.12 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Serie C3M | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión directa Vf 4.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.23mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 9.12 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
Wolfspeed introduce su último avance en la tecnología de dispositivos de potencia SiC: La primera plataforma MOSFET de 900 V de la industria. Optimizada para aplicaciones de electrónica de alta frecuencia de energía, incluidos inversores de energía renovable, sistemas de carga de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación industriales en tres fases, la nueva plataforma de 900 V permite sistemas de conversión de energía de próxima generación más pequeños y de mayor eficiencia con paridad de costes con soluciones basadas en silicio.
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
Conmutación de alta velocidad con baja capacidad
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Robustez de avalancha
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar
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