MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD5N80K5, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8440
- Referência do fabricante:
- STD5N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8440
- Referência do fabricante:
- STD5N80K5
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.73Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 2.17mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.73Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 2.17mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Industry’s lowest RDS(on) x area
Industry’s best FoM (figure of merit)
Ultra-low gate charge
Zener-protected
Applications
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