MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 477 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 185-8161
- Referência do fabricante:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
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Disponibilidade limitada
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- Código RS:
- 185-8161
- Referência do fabricante:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 477A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 225nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 294.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.15mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 477A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 225nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 294.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.15mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
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