MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 182-6908
- Referência do fabricante:
- DMP2040USD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 182-6908
- Referência do fabricante:
- DMP2040USD-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Tensión directa Vf | -7V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Tensión directa Vf -7V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 4.95mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Dual P-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Backlighting
Power Management Functions
DC-DC Converters
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