MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 216-348
- Referência do fabricante:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
840,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 19 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,336 € | 840,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 216-348
- Referência do fabricante:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.13W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.45mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, UL 94V-0, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.13W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.45mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, UL 94V-0, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET de lado bajo doble con autoprotección con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico con protección contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado por microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
Encapsulado de disipación de alta potencia compacto
Corriente de entrada baja
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
Protección contra sobretensión
Desconexión térmica con reinicio automático
Protección contra sobreintensidad
Protección ESD de entrada
Corriente nominal continua alta
Links relacionados
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8Q-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXMS6008N8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal DMP2040USD-13, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT69M9LPDW-13, VDSS 60 V, PowerDI5060-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT616MLSS-13, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN6022SSS-13, VDSS 60 V, ID 6.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines