MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRLZ44SPBF, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-263 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8757
- Referência do fabricante:
- IRLZ44SPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8757
- Referência do fabricante:
- IRLZ44SPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Vishay IRLZ44S es un MOSFET de potencia de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 60V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 10V V. Tiene un encapsulado D2PAK (TO-263). Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,028ohms a 5VGS.
Montaje superficial
Disponibles en cinta y carrete
Valor nominal de dv/dt dinámico
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