MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 16 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8312
- Referência do fabricante:
- IRFB17N50LPBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
183,45 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 500 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,669 € | 183,45 € |
| 100 - 200 | 3,449 € | 172,45 € |
| 250 - 450 | 3,119 € | 155,95 € |
| 500 - 1200 | 2,935 € | 146,75 € |
| 1250 + | 2,752 € | 137,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-8312
- Referência do fabricante:
- IRFB17N50LPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.32Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 220W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.32Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 220W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Vishay IRFB17N50L es un MOSFET de potencia de canal N con tensión de drenador a fuente (VDS) de 500V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Tiene que tener encapsulado TO-220AB. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,28ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 16A A.
La carga de compuerta baja QG da como resultado un requisito de accionamiento sencillo
Puerta mejorada, avalancha y resistencia dv/dt dinámica
Corriente y tensión de avalancha y capacitancia completamente caracterizadas
trr baja y recuperación de diodo suave
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFB17N50LPBF, VDSS 500 V, ID 16 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 26 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 200 V, ID 5.2 A, JEDEC TO-220AB, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRL620PBF, VDSS 200 V, ID 5.2 A, JEDEC TO-220AB, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 11 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 50 V, ID 18 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 50 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal IRF9Z24PBF, VDSS 60 V, ID 11 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple