MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRF730ASPBF, VDSS 400 V, ID 5.5 A, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8303
Referência do fabricante:
IRF730ASPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.67 mm

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Longitud

9.65mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-263-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 400 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 10 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.

Características y ventajas


• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas

• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)

• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico

• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo

• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Conmutación de alimentación de alta velocidad

• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)

• Fuentes de alimentación ininterrumpida

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