MOSFET Vishay TN2404K-T1-E3, VDSS 240 V, ID 200 mA, TO-236 de 3 pines

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Código RS:
180-8155
Referência do fabricante:
TN2404K-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

240 V

Serie

TN2404K

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 O

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 240V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4ohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 360mW mW y una corriente de drenaje continua de 200mA A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 2,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Fácil accionamiento sin búfer
• Excelente estabilidad térmica
• Funcionamiento a plena tensión
• Baja tensión de error
• Baja fuga de entrada y salida
• Baja tensión de offset
• Baja resistencia de conexión: 4ohms
• Bajo consumo de potencia/tensión
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• Desglose secundario libre: 260V

Aplicaciones


• Controladores de alta tensión: Relés, solenoides, lámparas, martillos, pantallas, transistores, etc.
• Control de motor
• Fuente de alimentación, convertidores
• Interruptores de silenciamiento del teléfono, circuitos de timbre

Certificaciones


• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado

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