MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SUD50P08-25L-E3, VDSS 80 V, ID 50 A, TO-252
- Código RS:
- 180-7935
- Referência do fabricante:
- SUD50P08-25L-E3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
14,28 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,856 € | 14,28 € |
| 50 - 120 | 2,054 € | 10,27 € |
| 125 - 245 | 1,886 € | 9,43 € |
| 250 - 495 | 1,632 € | 8,16 € |
| 500 + | 1,592 € | 7,96 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7935
- Referência do fabricante:
- SUD50P08-25L-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0252Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0252Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-252-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 25,2mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 136W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptores adaptadores
• Interruptores de carga
• Ordenadores portátiles
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 80 V, ID 50 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 129 A, P, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD040N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 129 A, P, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 60 V, ID 70 A, P, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 60 V, ID 35 A, P, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 35 A, P, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, P, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252