MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines

El MOSFET de canal P doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 88mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,5A A y una potencia nominal máxima de 1,8W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007