Referência do fabricante

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 36 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 180-7403
Referência do fabricante:: SQJ457EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 36 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 180-7403
Referência do fabricante:: SQJ457EP-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	PowerPAK SO-8L
	Serie	SQJ
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.025Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	65nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	68W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Simple
	Anchura	5.13 mm
	Certificaciones y estándares	AEC-Q101
	Altura	1.14mm
	Longitud	6.15mm
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado PowerPAK SO-8L
	Serie SQJ
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.025Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 68W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Simple
	Anchura 5.13 mm
	Certificaciones y estándares AEC-Q101
	Altura 1.14mm
	Longitud 6.15mm
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 6,7mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptores adaptadores

• Interruptores primarios DC/DC

• Interruptores de carga

• Gestión de alimentación

Certificaciones

• Certificación AEC-Q101

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado