MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 600 V, ID 21 A, TO-220, config. Simple
- Código RS:
- 180-7342
- Referência do fabricante:
- SIHA22N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
126,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,536 € | 126,80 € |
| 100 - 200 | 2,384 € | 119,20 € |
| 250 + | 2,155 € | 107,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7342
- Referência do fabricante:
- SIHA22N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.18Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 13.8mm | |
| Anchura | 10.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.18Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 13.8mm | ||
Anchura 10.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Vishay SIHA22N60E es un MOSFET de potencia de canal N serie E con tensión de drenaje a fuente (VDS) de 600V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Dispone de encapsulado Thin-Lead TO-220 FULLPAK. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,18ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 8A A.
Figura baja de mérito (FOM) Ron x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIHA22N60E-E3, VDSS 600 V, ID 21 A, TO-220, config. Simple
- MOSFET Infineon SPP11N60S5HKSA1, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 600 V, ID 21 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP80NF06, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1, VDSS 650 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET onsemi NTP2955G, VDSS 60 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
