MOSFET onsemi NDS352AP, VDSS 30 V, ID 900 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-7591
Referência do fabricante:: NDS352AP
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NDS352AP, VDSS 30 V, ID 900 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 178-7591
Referência do fabricante:: NDS352AP
Fabricante:: onsemi

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3- SuperSOT

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	900 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	NDS352AP
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	20V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2 nC a 4,5 V
Ancho	1.4mm
Material del transistor	Si
Longitud	2.92mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.94mm

MOSFET onsemi NDS352AP, VDSS 30 V, ID 900 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

Características y ventajas:

Aplicaciones: