MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Código RS:: 178-7488
Referência do fabricante:: BSC030P03NS3GAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:: 178-7488
Referência do fabricante:: BSC030P03NS3GAUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Encapsulado	TDSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	125W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	140nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-25V, +25V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	5.35mm
	Longitud	6.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.1mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Encapsulado TDSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 125W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 140nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -25V, +25V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 5.35mm
	Longitud 6.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.1mm
	Estándar de automoción No

BSC030P03NS3G OptiMOS P3 Power-Transistor

MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - BSC030P03NS3GAUMA1

Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de montaje en superficie que requieren un alto manejo de corriente y rango térmico. Funciona como dispositivo de mejora de canal P para el control de carriles de potencia y etapas de conmutación en entornos exigentes, ofreciendo un equilibrio de capacidad de conmutación y capacidad de corriente continua en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:

• La corriente de drenaje continua de 100 A permite la conmutación de alta carga
• La disipación de potencia máxima de 125 W admite cargas térmicas de altas prestaciones
• La baja Rds(on) de 4.6 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La Vds máxima de 30 V permite el control de carril de alimentación de media tensión
• La carga de puerta típica de 140 nC equilibra el esfuerzo de accionamiento y la velocidad de conmutación
• La tolerancia de puerta de 25 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones

• Apto para módulos de distribución de potencia de alta corriente
• Ideal para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías y conversión de potencia
• Se puede utilizar para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Se utiliza para electrónica sometida a tensión térmica en amplios intervalos de temperatura

¿Qué tipo de encapsulado debo planificar en la PCB?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TDSON de 8 pines que requiere una huella que coincida con una almohadilla térmica de 8 pines y las tierras circundantes para la capacidad de soldadura y la transferencia de calor.

¿Cómo afecta la temperatura ambiente al funcionamiento admisible?

Valor nominal de funcionamiento de -55 °C hasta 150 °C, mantiene la funcionalidad en condiciones de extremo frío y unión elevada, aunque la gestión térmica determinará los límites de corriente dinámica.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son importantes para el rendimiento de conmutación?

Espera una carga de puerta total típica de 140 nC que informa el tamaño del controlador

los controladores deben proporcionar corriente suficiente para conmutar dentro de los tiempos de transición deseados al tiempo que observan el valor nominal máximo de fuente de puerta de 25 V.

¿Qué características de tensión directa influyen en la conducción inversa?

El dispositivo presenta una tensión directa de -1,1 V durante la conducción en la dirección pertinente, lo que influye en las pérdidas de conducción en configuraciones de rueda libre o síncronas.