MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 500 V, ID 30 mA, Reducción, TO-243 de 4 pines
- Código RS:
- 178-5275
- Referência do fabricante:
- LND150N8-G
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
1 424,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 16 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,712 € | 1 424,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-5275
- Referência do fabricante:
- LND150N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-243 | |
| Serie | LND150 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1kΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-243 | ||
Serie LND150 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1kΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.6mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones