MOSFET de potencia onsemi, N-Canal NVMFD5C668NLT1G, VDSS 60 V, ID 68 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
178-4503
Referência do fabricante:
NVMFD5C668NLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

850mV

Disipación de potencia máxima Pd

57.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Longitud

5.1mm

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

NVMFD5C668NLWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

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