MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix SQM40022EM_GE3, VDSS 40 V, ID 150 A, Mejora, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
178-3948P
Referência do fabricante:
SQM40022EM_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

11.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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