MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix, VDSS 60 V, ID 2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 178-3877P
- Referência do fabricante:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal 100 unidades (fornecido em tira contínua)*
37,30 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 100 - 475 | 0,373 € |
| 500 - 975 | 0,311 € |
| 1000 + | 0,264 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-3877P
- Referência do fabricante:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
mosfet de vishay
El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 8V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 240mohms a una tensión de fuente de compuerta de 4,5V. Tiene una máxima disipación de potencia de 3W y corriente continua de drenaje de 2A. Tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 1,5 V y 4,5 V. Se utiliza en aplicaciones de automóviles. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin Plomo (Pb)
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• pruebas De Cr
• pruebas de IEU