MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-0818
Referência do fabricante:: IRFBE30PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidade	Por Tubo**
50 - 50	1,45 €	72,50 €
100 - 200	1,262 €	63,10 €
250 +	1,073 €	53,65 €

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Código RS:: 178-0818
Referência do fabricante:: IRFBE30PBF
Fabricante:: Vishay

Datasheet

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Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.41mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	78 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.01mm

MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor