MOSFET, Tipo P-Canal Vishay IRF9620PBF, VDSS 200 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 178-0816
- Referência do fabricante:
- IRF9620PBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
46,55 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 250 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,931 € | 46,55 € |
| 100 - 200 | 0,885 € | 44,25 € |
| 250 + | 0,838 € | 41,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-0816
- Referência do fabricante:
- IRF9620PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.01mm | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.01mm | ||
Longitud 10.41mm | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia de tercera generación Vishay proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.
Valor nominal de dv/dt dinámico
Fácil conexión en paralelo
Requisitos de accionamiento sencillos
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP5NK100Z, VDSS 1 kV, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF5NK100Z, VDSS 1 kV, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP5N60M2, VDSS 650 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 3.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines