MOSFET, Tipo N-Canal Microchip 2N6661, VDSS 90 V, ID 350 mA, Mejora, TO-39 de 3 pines
- Código RS:
- 177-9750P
- Referência do fabricante:
- 2N6661
- Fabricante:
- Microchip
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Encapsulado | TO-39 | |
| Serie | 2N6661 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.25W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Encapsulado TO-39 | ||
Serie 2N6661 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.25W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de Microchip Technology
El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Microchip Technology es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 90V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4ohms a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 350mA y una capacidad de disipación de potencia máxima de 6,25 W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este MOSFET es 5V y 10V respectivamente. El MOSFET es un modo de mejora (normalmente desactivado) MOSFET que utiliza una estructura vertical DMOS y un proceso de fabricación de puerta de silicona bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Una característica significativa de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de un escape térmico y una ruptura secundaria inducida por calor. Este FET vertical DMOS se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Facilidad de conexión en paralelo
• excelente estabilidad térmica
• libre de averías secundarias
• impedancia de entrada alta y ganancia alta
• diodo de drenaje de fuente integral
• CISS baja y velocidades de conmutación rápidas
• requisito de accionamiento de baja potencia
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Amplificadores
• Convertidores
• Controladores: Relés, martillos, solenoides, lámparas, memorias, pantallas, transistores bipolares, etc.
• controles de motor
• circuitos de alimentación
• Interruptores
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007