MOSFET Microchip VN10KN3-G, VDSS 60 V, ID 310 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 177-9716P
- Referência do fabricante:
- VN10KN3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-9716P
- Referência do fabricante:
- VN10KN3-G
- Fabricante:
- Microchip
MOSFET de Microchip Technology
El MOSFET de canal N de montaje en orificio pasante Microchip Technology es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 5ohms a una tensión de fuente de puerta de 10V. Tiene una tensión de fuente de drenaje de 60V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 30V. Tiene una corriente de drenaje continua de 310mA y una disipación de potencia máxima de 1W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este transistor es 5V y 10V respectivamente. El MOSFET es un transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) que utiliza una estructura vertical DMOS y un proceso de fabricación de puerta de silicona bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Una característica significativa de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de un escape térmico y una ruptura secundaria inducida por calor. Este FET vertical DMOS se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Facilidad de conexión en paralelo
• excelente estabilidad térmica
• libre de averías secundarias
• impedancia de entrada alta y ganancia alta
• diodo de drenaje de fuente integral
• CISS baja y velocidades de conmutación rápidas
• requisito de accionamiento de baja potencia
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.
• excelente estabilidad térmica
• libre de averías secundarias
• impedancia de entrada alta y ganancia alta
• diodo de drenaje de fuente integral
• CISS baja y velocidades de conmutación rápidas
• requisito de accionamiento de baja potencia
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Amplificadores
• Convertidores
• Controladores (relés, martillos, solenoides, lámparas, memorias, pantallas, transistores bipolares, etc.)
• controles del motor
• circuitos de alimentación
• Interruptores
• Convertidores
• Controladores (relés, martillos, solenoides, lámparas, memorias, pantallas, transistores bipolares, etc.)
• controles del motor
• circuitos de alimentación
• Interruptores
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 310 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Serie | VN10K |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,5 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | 30 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 5.08mm |
Ancho | 4.06mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Tensión de diodo directa | 0.8V |
Altura | 5.33mm |