MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 177-9691
- Referência do fabricante:
- TN2106K1-G
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 326,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,442 € | 1 326,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 177-9691
- Referência do fabricante:
- TN2106K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TN2106 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TN2106 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip TN2106K1-G, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NDS7002A, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 100 V, ID -120 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip VP2110K1-G, VDSS 100 V, ID -120 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip 2N7002-G, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP0610T-G, VDSS 60 V, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 100 V, ID 0.6 A, MOSFET, SOT-23 de 3 pines