MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
172-8980
Referência do fabricante:
NTHL082N65S3F
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

NTH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

313W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

81nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.82 mm

Longitud

15.87mm

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 81 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 722 pF)

Menor pérdida de conmutación

Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 70 mΩ

Aplicaciones

Telecomunicaciones

Sistema en la nube

Industriales

Alimentación de telecomunicaciones

Alimentación de servidores

Cargador EV

Solar / SAI

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