MOSFET onsemi NCP81075DR2G, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

El NCP81075 es un IC de controlador de puerta de MOSFET doble (lado alto y lado bajo) de altas prestaciones diseñado para accionar MOSFET de alta tensión y alta velocidad de hasta 180 V de funcionamiento. El NCP81075 integra un CI de controlador y un diodo de autocarga y ofrece una capacidad de accionamiento de hasta 4 A. Los controladores de lado alto y lado bajo se controlan de manera independiente con un retardo de propagación típico ajustado de 3,5 ns. Este controlador es ideal para usar en aplicaciones de reductores de alta tensión, fuentes de alimentación aisladas, convertidores de avance de abrazadera activa y 2 interruptores. el dispositivo también se puede utilizar en aplicaciones de optimizador solar e inversor solar. La pieza se ofrece en encapsulado SO8, DFN de 8 pines y DFN de 10 pines y con especificaciones completas de -40C a 140C.

Acciona dos MOSFET de canal N en lado alto y bajo
Diodo de autocarga integrado para controlador de puerta de lado alto
Rango de tensión de alimentación de autocarga de hasta 180 V
Fuente de 4 A, capacidad de corriente de salida de disipador de 4 A
Acciona carga de 1 nF con tiempos de subida y bajada típicos de 8 ns/7 ns
Gama de tensión de alimentación amplia de 8,5 V a 20 V
Tiempos de retardo de propagación rápidos (Típ. 20 ns)
Ajuste de retardo de 2 ns (típico)
Protección de bloqueo por subtensión (UVLO) para tensión de accionamiento
Rango de temperaturas de unión de funcionamiento de -40 °C a 140 °C
Aplicaciones
Conversor elevador
fuentes de alimentación aisladas
Amplificador de audio de clase D
Convertidores de avance de abrazadera activa y dos interruptores
Optimizador solar