MOSFET, N-Canal ROHM RD3G500GNTL, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
172-0437
Referência do fabricante:
RD3G500GNTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3G500GN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.4mm

Longitud

6.8mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Estándar de automoción

No

El RD3G500GN es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado de alta potencia (TO-252)

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos

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