MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RD3G500GNTL, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
172-0437
Referência do fabricante:
RD3G500GNTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

RD3G500GN

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.8mm

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Altura

2.3mm

Anchura

6.4 mm

Estándar de automoción

No

El RD3G500GN es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado de alta potencia (TO-252)

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos

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