MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 171-8388
- Referência do fabricante:
- NVMFS5C670NLWFAFT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
12,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 2940 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,627 € | 12,54 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 171-8388
- Referência do fabricante:
- NVMFS5C670NLWFAFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 71A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NVMFS5C670NL | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 61W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 71A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NVMFS5C670NL | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 61W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. Capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Capacitancia de puerta y QG baja
Minimiza las pérdidas de conmutación
Encapsulado estándar industrial de 5 x 6 mm
Diseño compacto y tamaño estándar para permitir su montaje directo
El mejor FOM (RDS(ON) x QG) de su categoría
Mayor eficiencia, menor disipación de potencia
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Driver de solenoide: ABS, inyección de combustible
Control de motor: EPS, barrido, ventiladores, asientos, etc.
Interruptor de carga: ECU, chasis, cuerpo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS5C670NLT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C670NLT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 287 A, Mejora, DFN de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 477 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 398.2 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 21 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, DFN de 5 pines