MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

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Código RS:
171-1948
Referência do fabricante:
IPD600N25N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD600N25N3 G

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

7.47 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPD600N25N3 G es un producto OptiMOS de 250V GHz que ofrece tecnologías de referencia líderes en rendimiento y es perfectamente adecuado para rectificación síncrona en sistemas 48V, convertidores dc-dc, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para controladores de motor dc.

R DS(on) más bajo del sector

Q g y Q gd más bajo

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