MOSFET, N-Canal Infineon IPD600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

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Código RS:
171-1948
Referência do fabricante:
IPD600N25N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

IPD600N25N3 G

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

7.47mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPD600N25N3 G es un producto OptiMOS de 250V GHz que ofrece tecnologías de referencia líderes en rendimiento y es perfectamente adecuado para rectificación síncrona en sistemas 48V, convertidores dc-dc, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para controladores de motor dc.

R DS(on) más bajo del sector

Q g y Q gd más bajo

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