MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia BSH111BKR, VDSS 55 V, ID 335 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 170-5339
- Referência do fabricante:
- BSH111BKR
- Fabricante:
- Nexperia
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- 170-5339
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- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 335mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | BSH111BK | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 335mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie BSH111BK | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de nivel de lógica y estándar en una variedad de encapsulados. Pruebe nuestros MOSFET robustos y fáciles de usar en el rango de 40 V a 60 V. Son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
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