MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 360 mA, Mejora, SC-59 de 3 pines

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Código RS:
170-2250
Referência do fabricante:
BSR316PH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

360mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

BSR316P

Encapsulado

SC-59

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.6 mm

Longitud

3mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Todos los productos tienen encapsulados de señal pequeña y son adecuados para aplicaciones de automoción

Las familias OptiMOS™ muy innovadoras de Infineon incluyen MOSFET de potencia de canal P. Estos productos satisfacen las más altas demandas de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como resistencia de conexión y características de factor de mérito

Modo de mejora

Chapado de cable sin plomo

Aplicaciones de destino:

Automoción

Consumo

dc-dc

eMobility

Control de motor

Cuaderno

Cargador integrado

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