MOSFET Taiwan Semiconductor, N-Canal TSM2302CX RFG, VDSS 20 V, ID 2.8 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 169-8935
- Referência do fabricante:
- TSM2302CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 169-8935
- Referência do fabricante:
- TSM2302CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 20 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 2.8 A | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 950 μm | |
| Longitud | 3.05 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 65 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V, -8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 900 mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 20 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 2.8 A | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 950 μm | ||
Longitud 3.05 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 65 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V, -8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 900 mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Anchura 1.4 mm | ||
N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
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